Princípio do Gravador de Plasma

A gravação por plasma indutivamente acoplado (ICPE) é o resultado de uma combinação de processos químicos e físicos. Seu princípio básico é que, sob vácuo e baixa pressão, a radiofrequência gerada por uma fonte de alimentação ICP RF é emitida para uma bobina de acoplamento toroidal. Um gás de gravação misto em uma determinada proporção é acoplado a uma descarga luminosa, gerando um plasma de alta-densidade. Sob a influência da RF no eletrodo inferior, esse plasma bombardeia a superfície do substrato, quebrando as ligações químicas do material semicondutor na área padronizada do substrato. Estas substâncias voláteis reagem com o gás de gravação para formar compostos voláteis, que então se separam do substrato como gases e são bombeados para fora da linha de vácuo.